汎銓服務的LED業包括磊晶及封裝廠。驗證工程處處長廖永順表示，LED注重光效的一致性，但由於磊晶機或製程參數等因素，在不同腔體（Chamber），或不同批次（Batch）產品間，常產生色溫及亮度差異。透過磊晶層微結構的材料分析，精確比較Chamber to Chamber、Batch to Batch、片與片及每顆晶粒間的些微變化，提供客戶改善的科學依據，改善製程參數，減少磊晶機台的差異性，提升產品良率。
微縮線寬是降低IC成本與提高IC效能的必要手段，以DRAM為例，由90nm改為65nm，除了加快運算速度外，面積省一半，成本也可降低。半導體產業的線寬微縮，需要研發新的製程技術與設計，因此提升對材料分析及電路修補的需求。
以先進技術 提高定位精度
例如，為求省電及延長待時間，手機IC對於漏電流的要求極嚴苛，線寬微縮到28nm時，漏電流的挑戰就更高了，定位與觀察造成漏電流的物理原因，是業者普遍的難處。汎銓以先進的OBIRCH數位Lock -in技術來提高缺陷定位的精準度，以成熟的TEM（穿透式電子顯微鏡）技術解析失效點的結構，成份，協助IC設計公司及晶圓廠開發新設計與改善製程。
工程服務處處長周學良指出，國際半導體大廠已準備量產22奈米製程，最新的電晶體製程技術也由2D進入3D製造，可提供速度更快且更省電的電晶體。台灣半導體業也將於第三季後量產28nm，此趨勢將引導所有IC設計公司採用更先進的製程。
製程越先進材料及故障分析難度越高，汎銓的TEM（穿透式電子顯微鏡）分析技術可達20nm製程需求水準，超前同業；擁有最高SEM（掃描式電子顯微鏡）解析度（0.9nm@1KV）之DB FIB（雙粒子束聚焦式離子束顯微切割儀），亦超越同業，符合先進製程分析需求。
SEM技術 滿足20nm分析需求
SEM分析技術亦可提供客戶20nm以下製程分析需求，以最先進的低角度背像電子（LaBe）影像技術，可供超低電壓之材料表面對比。 SEM成分分析（EDS）亦提供先進設備提高的Mapping速度與解析度，達次微米水準（小於1um），在電性故障分析則增加OBIRCH最先進的數位Lock -in技術來提高缺陷定位的精準度。
銅打線大量應用於IC封裝，也帶動製程分析需求。汎銓為IC封裝大廠建立分析平台，提升產品可靠度及良率，並自行研發鐳射開槽機，開蓋1萬顆的良率高達99.5%，除了自用，也獲封裝廠訂購。
廖永順表示，若以40nm為分析驗證服務業分野，40nm以上的分析驗證服務市場大致為供需平衡，40nm以下則供不應求，為汎銓專精及主攻的市場。迎接半導體邁入18吋及20奈米全新世代，汎銓已做好充份的準備。
汎銓電話（03）666-3298，網址：http:// www.msscorps.com。<摘錄經濟>
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