瑞晶(4932)昨日宣布,已成功試產出使用爾必達所開發30nm製程的2Gb DDR3晶片,良率符合預期.....
未來將加速進行製程轉換,預計於2011年下半年全面導入量產,並同時生產4Gb DDR3 DRAM。瑞晶表示,此次試產成功之2Gb DDR3 DRAM產品,是使用爾必達所開發,低耗電、高效能全新30nm製程技術,每片晶圓產出晶粒量比40nm製程多出45%,可有效降低生產成本。瑞晶總經理陳正坤指出,此次試產結果,不論品質、良率均相當令人滿意,希望能在2011年下半年,將月產能8.5萬片的全產線,百分之百轉換完成。此外,也將生產4Gb DDR3DRAM,以滿足高階產品的需求。<摘錄工商>
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